为什么晶体管结构要变化
传统平面 MOSFET 在缩小时会遇到漏电、短沟道效应和阈值控制问题。FinFET 让栅极包住竖起的鳍片侧壁，增强对沟道的控制。GAAFET / nanosheet 进一步让栅极围绕堆叠纳米片，提升静电控制和设计弹性。
工艺挑战
FinFET 和 GAAFET 需要更复杂的选择性刻蚀、外延生长、应力工程、高 k 金属栅、间隔层和源漏接触。结构越立体，形貌控制越困难，任何纳米级偏差都可能改变驱动电流、泄漏和阈值分布。
GPU 相关性
GPU 需要在巨大并行阵列中复制数百亿晶体管。晶体管密度、开关速度、泄漏和电压范围会直接影响 SM / CU 数量、时钟、功耗和散热。先进 GPU 是否能在可接受功耗内增加算力，首先取决于晶体管层面的能效。