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第三章:光刻、DUV 与 EUV

把电路图形稳定投到晶圆上的工程

光刻在做什么

光刻把掩模版上的图形通过投影光学系统转移到涂有光刻胶的晶圆上。DUV 光刻长期支撑了多代先进制程,EUV 使用 13.5 nm 波长来提升分辨率,使更小间距的图形可以减少多重图形化次数。ASML 的 EUV 系统是当前最先进逻辑制造中的关键设备之一。

难点不只是分辨率

先进光刻要同时控制临界尺寸、overlay、焦深、光刻胶化学反应、随机缺陷和掩模误差。EUV 光子能量高但光源和反射镜系统极其复杂,随机效应会让接触孔、细线和边缘粗糙度成为良率风险。

GPU 相关性

GPU 的大面积逻辑裸片需要大量关键层光刻。每一层 overlay 偏差都会影响晶体管、电阻、电容或互连可靠性。对于先进封装中的 RDL、interposer 与微凸点,光刻也决定了布线密度和芯片间连接能力。

参考资料

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